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文献
J-GLOBAL ID：200902265822912384
整理番号：05A0244124
GaNのShottkyダイオードの減少した漏れ電流に及ぼす低温成長させたGaNキャップ層の効果
Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes
SHEU J K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LEE M L
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LAI W C
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 5 ページ： 052103.1-052103.3 発行年： 2005年01月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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