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文献
J-GLOBAL ID：200902265834170340
整理番号：08A0187758
512M位相変化ランダムアクセスメモリ(PRAM)におけるリセット分布を改善するための新しい熱消費セル方式
Novel Heat Dissipating Cell Scheme for Improving a Reset Distribution in a 512M Phase-change Random Access Memory (PRAM)
KANG D. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM J. S.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM Y. R.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM Y. T.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
LEE M. K.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
JUN Y. J.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
YEUNG F.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
JEONG C. W.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
YU J.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KONG J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
HA D. W.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
SONG S. A.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK J.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK Y. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
SONG Y. J.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
EUM C. Y.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
RYOO K. C.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
SHIN J. M.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
LIM D. W.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK S. S.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK W. I.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
SIM K. R.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
CHEONG J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
OH J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
PARK J. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM J. I.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
OH Y. T.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
LEE K. W.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KOH S. P.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
EUN S. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM N. B.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KOH G. H.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
JEONG G. T.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
JEONG H. S.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
,
KIM Kinam
(Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2007 ページ： 78-79 発行年： 2007年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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