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文献
J-GLOBAL ID：200902266076037525
整理番号：07A0144987
高密度不揮発性メモリ用の新スイッチ装置としての低温成長酸化物ダイオード
A Low-Temperature-Grown Oxide Diode as a New Switch Element for High-Density, Nonvolatile Memories
LEE Myoung-Jae
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
SEO Sunae
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
KIM Dong-Chirl
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
AHN Seung-Eon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
SEO David H
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
YOO In-Kyeong
(Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
,
BAEK In-Gyu
(Samsung Electronics Co. Ltd, Suwon, KOR)
,
KIM Dong-Sik
(Ihha Technical Coll., Incheon, KOR)
,
BYUN Ik-Su
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Soo-Hong
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG In-Rok
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jin-Soo
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
JEON Sang-Ho
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Bae Ho
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 19 号： 1 ページ： 73-76 発行年： 2007年01月08日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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