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文献
J-GLOBAL ID：200902266095163817
整理番号：06A0555163
原子窒素ラジカルによるGe金属-絶縁体-半導体構造用の純粋な窒化ゲルマニウムの形成
Pure germanium nitride formation by atomic nitrogen radicals for application to Ge metal-insulator-semiconductor structures
MAEDA Tatsuro
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center-National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
YASUDA Tetsuji
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center-National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
NISHIZAWA Masayasu
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center-National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
MIYATA Noriyuki
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center-National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
MORITA Yukinori
(MIRAI Project, Advanced Semiconductor Res. Center-National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. ...)
,
TAKAGI Shinichi
(MIRAI Project, ASRC-AIST, AIST Tsukuba West 7, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan, and The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 100 号： 1 ページ： 014101-014101-7 発行年： 2006年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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