文献
J-GLOBAL ID:200902266141055102
整理番号:04A0536131
NROMデバイスにおける局所化電荷捕獲の空間特性評価と電荷再分布
Spatial characterization of localized charge trapping and charge redistribution in the NROM device
著者 (6件):
SHAPPIR A
(Tel Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
LEVY D
(Tel Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
SHACHAM-DIAMAND Y
(Tel Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
LUSKY E
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
,
BLOOM I
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
,
EITAN B
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
48
号:
9
ページ:
1489-1495
発行年:
2004年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)