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文献
J-GLOBAL ID：200902266183822138
整理番号：07A0666492
Si基板上での原子層劣化の制御
Control of atomic layer degradation on Si substrate
NAKAMURA Y.
(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)
,
TATSUMI T.
(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)
,
KOBAYASHI S.
(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)
,
KUGIMIYA K.
(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)
,
HARANO T.
(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)
,
ANDO A.
(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)
,
KAWASE T.
(Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ...)
,
HAMAGUCHI S.
(Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ...)
,
ISEDA S.
(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 25 号： 4 ページ： 1062 発行年： 2007年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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