文献
J-GLOBAL ID:200902266317847922
整理番号:05A0001395
分子ビームエピタクシーにより成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造における160000cm2/Vsを超える電子移動度
Electron mobility exceeding 160000cm2/V s in AlGaN/GaN heterostructures grown by molecular-beam epitaxy
著者 (6件):
MANFRA M J
(Lucent Technol., New Jersey)
,
BALDWIN K W
(Lucent Technol., New Jersey)
,
SERGENT A M
(Lucent Technol., New Jersey)
,
WEST K W
(Lucent Technol., New Jersey)
,
MOLNAR R J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
CAISSIE J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
85
号:
22
ページ:
5394-5396
発行年:
2004年11月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)