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文献
J-GLOBAL ID：200902266486578299
整理番号：07A1231164
ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ
Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
UEMOTO Yasuhiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
HIKITA Masahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UENO Hiroaki
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
MATSUO Hisayoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Hidetoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
YANAGIHARA Manabu
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54 号： 12 ページ： 3393-3399 発行年： 2007年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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