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文献
J-GLOBAL ID:200902266486578299   整理番号:07A1231164

ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ

Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
著者 (9件):
UEMOTO Yasuhiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
HIKITA Masahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UENO Hiroaki
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
MATSUO Hisayoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
ISHIDA Hidetoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
YANAGIHARA Manabu
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UEDA Tetsuzo
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
TANAKA Tsuyoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UEDA Daisuke
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 54  号: 12  ページ: 3393-3399  発行年: 2007年12月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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