文献
J-GLOBAL ID:200902266486578299
整理番号:07A1231164
ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ
Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
著者 (9件):
UEMOTO Yasuhiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
HIKITA Masahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UENO Hiroaki
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
MATSUO Hisayoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Hidetoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
YANAGIHARA Manabu
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
54
号:
12
ページ:
3393-3399
発行年:
2007年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)