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文献
J-GLOBAL ID：200902266572743707
整理番号：07A0708141
ストライプパターン形成したr面サファイア基板上に成長させたGaNにおける転位減少
Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates
CHEN Hou-guang
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung 840, Taiwan)
,
KO Tsung-shine
(Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...)
,
LING Shih-chun
(Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...)
,
LU Tien-chang
(Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...)
,
KUO Hao-chung
(Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...)
,
WANG Shing-chung
(Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...)
,
WU Yue-han
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
CHANG Li
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 2 ページ： 021914 発行年： 2007年07月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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