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文献
J-GLOBAL ID：200902266574792659
整理番号：09A1129490
巨大アルゴンクラスタイオンビームを用いた二次イオン質量分析による有機半導体材料の多層構造の分子深さプロフィリング
Molecular depth profiling of multilayer structures of organic semiconductor materials by secondary ion mass spectrometry with large argon cluster ion beams
NINOMIYA Satoshi
(Kyoto Univ., Uji, JPN)
,
NINOMIYA Satoshi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
ICHIKI Kazuya
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
YAMADA Hideaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NAKATA Yoshihiko
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SEKI Toshio
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SEKI Toshio
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
AOKI Takaaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
AOKI Takaaki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MATSUO Jiro
(Kyoto Univ., Uji, JPN)
,
MATSUO Jiro
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Rapid Communications in Mass Spectrometry
(Rapid Communications in Mass Spectrometry)
巻： 23 号： 20 ページ： 3264-3268 発行年： 2009年10月
JST資料番号： T0695A ISSN： 0951-4198 CODEN： RCMSEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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