文献
J-GLOBAL ID:200902266715588147
整理番号:06A0023549
ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討
Investigation of Anomalous Gate Leakage Currents and Gate Control in AlGaN/GaN HFETs having Nanometer-Scale Schottky Gates
著者 (4件):
葛西誠也
,
小谷淳二
,
長谷川英機
,
橋詰保
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
105
号:
436(SDM2005 192-200)
ページ:
47-52
発行年:
2005年11月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)