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文献
J-GLOBAL ID:200902266738735376   整理番号:08A0575009

単一エネルギー陽電子ビームにより調べたErドープGaN中の空格子点型欠陥

Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam
著者 (10件):
UEDONO A.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
SHAOQIANG C.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
JONGWON S.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
ITO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
NAKAMORI H.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
HONDA N.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
TOMITA S.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
AKIMOTO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
KUDO H.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)
ISHIBASHI S.
(Res. Inst. for Computational Sciences, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki ...)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 103  号: 10  ページ: 104505  発行年: 2008年05月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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