文献
J-GLOBAL ID:200902266869133100
整理番号:04A0047116
MOCVDで成長させた自然ドープGaN膜の抵抗率制御
Resistivity control in unintentionally doped GaN films grown by MOCVD
著者 (5件):
WICKENDEN A E
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
KOLESKE D D
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
HENRY R L
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
TWIGG M E
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
FATEMI M
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
260
号:
1/2
ページ:
54-62
発行年:
2004年01月02日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)