文献
J-GLOBAL ID:200902266896809123
整理番号:08A0452483
高スケーラビリティおよびナノ秒スイッチングをもつ新しい抵抗メモリ
A Novel Resistance Memory with High Scalability and Nanosecond Switching
著者 (13件):
ARATANI K.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
OHBA K.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
MIZUGUCHI T.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
YASUDA S.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIIMOTO T.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
TSUSHIMA T.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
SONE T.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
ENDO K.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOUCHIYAMA A.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
SASAKI S.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAESAKA A.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMADA N.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
NARISAWA H.
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2007 Vol.2
ページ:
783-786
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)