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文献
J-GLOBAL ID:200902267053767999   整理番号:08A0187805

最先端SOI-CMOS技術における多重ストレスメモライゼーション

Multiple Stress Memorization In Advanced SOI CMOS Technologies
著者 (19件):
WEI A.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
WIATR M.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
MOWRY A.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
GEHRING A.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
BOSCHKE R.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
SCOTT C.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
HOENTSCHEL J.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
DUENKEL S.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
GERHARDT M.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
FEUDEL T.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
LENSKI M.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
WIRBELEIT F.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
OTTERBACH R.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
CALLAHAN R.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
KOERNER G.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
KRUMM N.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
GREENLAW D.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
RAAB M.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
HORSTMANN M.
(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

巻: 2007  ページ: 174-175  発行年: 2007年 
JST資料番号: A0035B  ISSN: 0743-1562  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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