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文献
J-GLOBAL ID：200902267116568428
整理番号：04A0749816
炭化けい素とサファイア基板上の高N2圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出
Deposition of bulk GaN from solution in gallium under high N2 pressure on silicon carbide and sapphire substrates
BOCKOWSKI M
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
KRUKOWSKI S
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
LUCZNIK B
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
WROBLEWSKI M
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
KAMLER G
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
BORYSIUK J
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
KWIATKOWSKI P
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
,
JASIK K
(High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 270 号： 3/4 ページ： 409-419 発行年： 2004年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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