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文献
J-GLOBAL ID：200902267253087690
整理番号：04A0224271
完全NiSiおよびNiGeデュアルゲートをもつAl2O3-絶縁体上Ge n-およびp-MOSFET
Al2O3-Ge-On-Insulator n- and p-MOSFETs With Fully NiSi and NiGe Dual Gates
YU D S
(National ChiaoTung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG C H
(National ChiaoTung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIN A
(National ChiaoTung Univ., Hsinchu, TWN)
,
ZHU C
(National Univ. Singapore, SGP)
,
LI M F
(National Univ. Singapore, SGP)
,
CHO B J
(National Univ. Singapore, SGP)
,
KWONG D-L
(Univ. Texas, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 25 号： 3 ページ： 138-140 発行年： 2004年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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