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文献
J-GLOBAL ID：200902267253982045
整理番号：07A0727990
脱イオン水中で電圧を印加し光で強化した電気化学的酸化によるGaN表面の損傷の少ないエッチング
Low Damage Etching of GaN Surfaces via Bias-Assisted Photoenhanced Electrochemical Oxidation in Deionized Water
ALPTEKIN Emre
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
,
YU Hongbo
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
,
OZBAY Ekmel
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
,
AKTAS Ozgur
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 36 号： 6 ページ： 629-633 発行年： 2007年06月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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