文献
J-GLOBAL ID:200902267457054830
整理番号:08A0095653
逆ブロッキング性能を持つモノリシック高電圧GaN MOSFET/Schottkyペア
Monolithic High-Voltage GaN MOSFET/Schottky Pair with Reverse Blocking Capability
著者 (2件):
HUANG W.
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
CHOW T.P.
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
19th
ページ:
265-268
発行年:
2007年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)