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文献
J-GLOBAL ID：200902267520908267
整理番号：03A0636538
イオン注入不純物の横方向広がりとマスク近接効果
Lateral Ion Implant Straggle and Mask Proximity Effect
HOOK T B
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
BROWN J
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
COTTRELL P
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
ADLER E
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
HOYNIAK D
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
JOHNSON J
(IBM Microelectronics, VT, USA)
,
MANN R
(IBM Microelectronics, VT, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50 号： 9 ページ： 1946-1951 発行年： 2003年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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