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文献
J-GLOBAL ID：200902267548802162
整理番号：05A0298237
金属の蒸着とその後の酸素アニーリングによる超薄ZrO2/Si構造の低温作製
Low-Temperature Fabrication of Ultrathin ZrO2/Si Structure Using Metal Deposition Followed by Oxygen Annealing
NAGASATO Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
AYA T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
IWAZAKI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
HASUMI M
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
UENO T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KUROIWA K
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 1A ページ： 5-7 発行年： 2005年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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