文献
J-GLOBAL ID:200902267601255560
整理番号:06A0308227
MFIS構造のラジカル照射による特性改善
Improved electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor by irradiation with a radical
著者 (4件):
金島岳
(大阪大)
,
VAN HAI Le
(大阪大)
,
吉永真生
(大阪大)
,
奥山雅則
(大阪大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
105
号:
654(SDM2005 259-267)
ページ:
45-50
発行年:
2006年03月07日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)