文献
J-GLOBAL ID:200902267815092900
整理番号:07A0029946
a-Si:H/C-Si太陽電池のヘテロ界面におけるエピタキシャル成長の影響
Impact of epitaxial growth at the heterointerface of a-Si:H/c-Si solar cells
著者 (2件):
FUJIWARA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
KONDO Michio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
90
号:
1
ページ:
013503-013503-3
発行年:
2007年01月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)