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文献
J-GLOBAL ID：200902267991924009
整理番号：07A1096406
液相線移動ゾーン成長法で作ったInGaAs三成分基板上の高特性温度1.3μmバンドレーザ
High-Characteristic-Temperature 1.3-μm-Band Laser on an InGaAs Ternary Substrate Grown by the Traveling Liquidus-Zone Method.
ARAI Masakazu
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
WATANABE Takao
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YUDA Masahiro
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KINOSHITA Kyoichi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN)
,
YODA Shinichi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN)
,
KONDO Yasuhiro
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 13 号： 5,Pt.1 ページ： 1295-1301 発行年： 2007年09月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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