文献
J-GLOBAL ID:200902268063375408
整理番号:04A0587129
高密度埋込みメモリに用いた45nm,CMOSプラットホーム技術(CMOS6)
45nm CMOS Platform Technology (CMOS6) with High Density Embedded Memories
著者 (9件):
IWAI M
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
OISHI A
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
SANUKI T
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKEGAWA Y
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
KOMODA T
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
MORIMASA Y
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
ISHIMARU K
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKAYANAGI M
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
,
EGUCHI K
(TOSHIBA Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2004
ページ:
12-13
発行年:
2004年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)