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文献
J-GLOBAL ID：200902268065895468
整理番号：07A0879332
紫外光励起オゾンを用いて室温でポリシリコン上に成長した高品質ゲート誘電体膜
High Quality Gate Dielectric Film on Poly-Silicon Grown at Room Temperature using UV Light Excited Ozone
KAMEDA N.
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KAMEDA N.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
NISHIGUCHI T.
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NISHIGUCHI T.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Y.
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KEKURA M.
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NONAKA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 154 号： 9 ページ： H769-H772 発行年： 2007年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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