文献
J-GLOBAL ID:200902268298148034
整理番号:06A0072530
不揮発性メモリに適用する強誘電性ポリマLangmuir-Blodgett薄膜
Ferroelectric Polymer Langmuir-Blodgett Films for Nonvolatile Memory Applications
著者 (4件):
DUCHARME Stephen
(Univ. Nebraska, NE, USA)
,
REECE Timothy J.
(Univ. Nebraska, NE, USA)
,
OTHON Christina M.
(Univ. Nebraska, NE, USA)
,
RANNOW R. K.
(Hewlett-Packard Corp., OR, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
5
号:
4
ページ:
720-735
発行年:
2005年12月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)