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文献
J-GLOBAL ID：200902268375098843
整理番号：05A0578765
極小ゲート面積のデバイスにおけるPMOS NBTIに対するランダムな電荷の効果
RANDOM CHARGE EFFECTS FOR PMOS NBTI IN ULTRA-SMALL GATE AREA DEVICES
AGOSTINELLI M.
(Intel Corp., OR)
,
PAE S.
(Intel Corp., OR)
,
YANG W.
(Intel Corp., OR)
,
PRASAD C.
(Intel Corp., OR)
,
KENCKE D.
(Intel Corp., OR)
,
RAMEY S.
(Intel Corp., OR)
,
SNYDER E.
(AMI Semiconductor, ID)
,
KASHYAP S.
(Intel Corp., CA)
,
JONES M.
(Intel Corp., OR)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 43rd ページ： 529-532 発行年： 2005年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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