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文献
J-GLOBAL ID：200902268467133637
整理番号：08A1222178
プラズマ処理による低誘電率(低k)膜の損傷機構
Damage mechanism in low-dielectric (low-k) films during plasma processes
JINNAI Butsurin
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
NOZAWA Toshihisa
(Tokyo Electron Technol. Dev. Inst., Inc., 1-8 Fuso-cho, Amagasaki, Hyogo 660-0891, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 26 号： 6 ページ： 1926 発行年： 2008年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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