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文献
J-GLOBAL ID：200902268471795555
整理番号：03A0237904
シリコンデバイスにおける二次元歪マッピングへの収束ビーム電子回折の応用
Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices.
ARMIGLIATO A
(IMM Sezione di Bologna, CNR, Bologna, ITA)
,
BALBONI R
(IMM Sezione di Bologna, CNR, Bologna, ITA)
,
CARNEVALE G P
(STMicroelectronics srl, Agrate Brianza, ITA)
,
PAVIA G
(STMicroelectronics srl, Agrate Brianza, ITA)
,
PICCOLO D
(STMicroelectronics srl, Agrate Brianza, ITA)
,
FRABBONI S
(Univ. Modena and Reggio Emilia, Modena, ITA)
,
BENEDETTI A
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
CULLIS A G
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 13 ページ： 2172-2174 発行年： 2003年03月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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