文献
J-GLOBAL ID:200902268632330469
整理番号:03A0534336
r面サファイア上のa面GaNの極性決定とそのラテラル過成長とヘテロエピタクシーに及ぼす影響
Polarity determination of a-plane GaN on r-plane sapphire and its effects on lateral overgrowth and heteroepitaxy
著者 (4件):
WU F
(Univ. California, California)
,
CRAVEN M D
(Univ. California, California)
,
LIM S-H
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
2
ページ:
942-947
発行年:
2003年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)