文献
J-GLOBAL ID:200902268754266710
整理番号:07A0280733
ZnO上にラジカル源MBE成長させたZn1-xMgxOエピタクシー薄膜の光ルミネセンス特性化
Photoluminescence characterization of Zn1-xMgxO epitaxial thin films grown on ZnO by radical source molecular beam epitaxy
著者 (8件):
SHIBATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
TAMPO H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
MATSUBARA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
YAMADA A.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
SAKURAI K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
ISHIZUKA S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
NIKI S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
SAKAI M.
(Fac. of Engineering, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
90
号:
12
ページ:
124104-124104-3
発行年:
2007年03月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)