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文献
J-GLOBAL ID:200902268754266710   整理番号:07A0280733

ZnO上にラジカル源MBE成長させたZn1-xMgxOエピタクシー薄膜の光ルミネセンス特性化

Photoluminescence characterization of Zn1-xMgxO epitaxial thin films grown on ZnO by radical source molecular beam epitaxy
著者 (8件):
SHIBATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
TAMPO H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
MATSUBARA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
YAMADA A.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
SAKURAI K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
ISHIZUKA S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
NIKI S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
SAKAI M.
(Fac. of Engineering, Saitama Univ., 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama 338-8570, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 90  号: 12  ページ: 124104-124104-3  発行年: 2007年03月19日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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