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文献
J-GLOBAL ID：200902268894420051
整理番号：09A1289023
シリコン結晶中におけるホウ素-酸素から成る再結合中心の不活性化に対するドーパントの補償の効果
Impact of dopant compensation on the deactivation of boron-oxygen recombination centers in crystalline silicon
LIM Bianca
(Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
,
LIU An
(School of Engineering, Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra ACT 0200, AUS)
,
MACDONALD Daniel
(School of Engineering, Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra ACT 0200, AUS)
,
BOTHE Karsten
(Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
,
SCHMIDT Jan
(Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 23 ページ： 232109 発行年： 2009年12月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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