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文献
J-GLOBAL ID：200902269035287010
整理番号：07A0041004
反応周波数マグネトロンスパッタリングにより堆積したAlドープZnO薄膜 H2誘起特性変化
Al-doped ZnO thin films deposited by reactive frequency magnetron sputtering: H2-induced property changes
LIU Weifeng
(State Key Lab. for Materials modification by laser, ion, electron beams, Dep. of Physics, Dalian Univ. of Technol. ...)
,
DU Guotong
(State Key Lab. for Materials modification by laser, ion, electron beams, Dep. of Physics, Dalian Univ. of Technol. ...)
,
DU Guotong
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jinlin Univ., Changchun ...)
,
SUN Yanfeng
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jinlin Univ., Changchun ...)
,
XU Yibin
(State Key Lab. for Materials modification by laser, ion, electron beams, Dep. of Physics, Dalian Univ. of Technol. ...)
,
YANG Tianpeng
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jinlin Univ., Changchun ...)
,
WANG Xinsheng
(State Key Lab. for Materials modification by laser, ion, electron beams, Dep. of Physics, Dalian Univ. of Technol. ...)
,
CHANG Yuchun
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jinlin Univ., Changchun ...)
,
QIU Fabin
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Coll. of Electronic Sci. and Engineering, Jinlin Univ., Changchun ...)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 515 号： 5 ページ： 3057-3060 発行年： 2007年01月22日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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