文献
J-GLOBAL ID:200902269430398106
整理番号:09A0208453
電気的に駆動した500nmのInGaN系レーザダイオード
500 nm electrically driven InGaN based laser diodes
著者 (7件):
QUEREN Desiree
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
AVRAMESCU Adrian
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
BRUEDERL Georg
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
BREIDENASSEL Andreas
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
SCHILLGALIES Marc
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
LUTGEN Stephan
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
,
STRAUSS Uwe
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Regensburg, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
94
号:
8
ページ:
081119
発行年:
2009年02月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)