文献
J-GLOBAL ID:200902269433090692
整理番号:09A0043478
連続イオン層吸着及び反応(SILAR)法によるSnS薄膜の作製
Fabrication of SnS thin films by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method
著者 (4件):
GHOSH Biswajit
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
DAS Madhumita
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
BANERJEE Pushan
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
DAS Subrata
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
23
号:
12
ページ:
125013,1-6
発行年:
2008年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)