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文献
J-GLOBAL ID：200902269515752324
整理番号：08A0055997
Schottky障壁高さ低下のためのNiSi/SiおよびPtSi/Si界面においてドーパント偏析をおこす二つの異なる手法の比較研究
A Comparative Study of Two Different Schemes to Dopant Segregation at NiSi/Si and PtSi/Si Interfaces for Schottky Barrier Height Lowering
QIU Zhijun
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
QIU Zhijun
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
,
ZHANG Zhen
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
,
OESTLING Mikael
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
,
ZHANG Shi-Li
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHANG Shi-Li
(Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55 号： 1 ページ： 396-403 発行年： 2008年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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