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文献
J-GLOBAL ID：200902269582660868
整理番号：07A1096387
4インチウエハプロセス技術を用いたAlGaInP系レーザダイオードの均一高パワー特性
Uniform and High-Power Characteristics of AlGaInP-Based Laser Diodes With 4-Inch-Wafer Process Technology.
SUMITOMO Hiroyuki
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
KAJIYAMA Satoshi
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
OGURI Hiroyuki
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
SAKASHITA Takeshi
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
YAMAMOTO Toru
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
NAKAO Kensei
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
DOMOTO Shinichi
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
UEDA Makoto
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
AMANO Hidenori
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
SATOYOSHI Hirotada
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
KITA Toshihiro
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
,
IZUMI Shigekazu
(Eudyna Devices Inc., Yamanashi, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 13 号： 5,Pt.1 ページ： 1170-1175 発行年： 2007年09月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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