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文献
J-GLOBAL ID：200902269617246695
整理番号：09A0590895
MgOトンネル障壁を用いたシリコン中への電気的スピン注入
Electrical Spin Injection into Silicon Using MgO Tunnel Barrier
SASAKI Tomoyuki
(TDK Corp., Nagano, JPN)
,
OIKAWA Tohru
(TDK Corp., Nagano, JPN)
,
SUZUKI Toshio
(Akita Res. Inst. Advanced Technol., Akita, JPN)
,
SHIRAISHI Masashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUZUKI Yoshishige
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAGAMI Katsumichi
(TDK Corp., Nagano, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 5 ページ： 053003.1-053003.3 発行年： 2009年05月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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