文献
J-GLOBAL ID:200902269627542560
整理番号:04A0912662
C4F8誘導結合プラズマの特性 I SiO2のエッチングに対するAr/c-C4F8磁場閉込めプラズマ
Properties of C4F8 inductively coupled plasmas. I. Studies of Ar/c-C4F8 magnetically confined plasmas for etching of SiO2
著者 (7件):
LI X
(Univ. Maryland, Maryland)
,
LING L
(Univ. Maryland, Maryland)
,
HUA X
(Univ. Maryland, Maryland)
,
OEHRLEIN G S
(Univ. Maryland, Maryland)
,
WANG Y
(National Inst. Standards and Technol., Maryland)
,
VASENKOV A V
(Univ. Illinois, Illinois)
,
KUSHNER M J
(Univ. Illinois, Illinois)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
22
号:
3
ページ:
500-510
発行年:
2004年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)