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文献
J-GLOBAL ID：200902269638407320
整理番号：08A0476759
Si窒化物ベースの不揮発メモリセルにおけるトラップ電荷の垂直位置の実験キャラクタリゼーション
Experimental Characterization of the Vertical Position of the Trapped Charge in Si Nitride-Based Nonvolatile Memory Cells
ARREGHINI Antonio
(Univ. Udine, Udine, ITA)
,
DRIUSSI Francesco
(Univ. Udine, Udine, ITA)
,
VIANELLO Elisa
(Univ. Udine, Udine, ITA)
,
ESSENI David
(Univ. Udine, Udine, ITA)
,
VAN DUUREN Michiel J.
(NXP Semiconductors, Leuven, BEL)
,
GOLUBOVIC Dusan S.
(NXP Semiconductors, Leuven, BEL)
,
AKIL Nader
(NXP Semiconductors, Leuven, BEL)
,
VAN SCHAIJK Rob
(NXP Semiconductors, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55 号： 5 ページ： 1211-1219 発行年： 2008年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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