前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902269642516591   整理番号:03A0564061

多孔質のSiCとGaNの基板の上のGaNの成長

Growth of GaN on Porous SiC and GaN Substrates
著者 (9件):
INOKI C K
(Univ. Albany, NY)
KUAN T S
(Univ. Albany, NY)
LEE C D
(Carnegie Mellon Univ., PA)
SAGAR A
(Carnegie Mellon Univ., PA)
FEENSTRA R M
(Carnegie Mellon Univ., PA)
KOLESKE D D
(Sandia National Lab., NM)
DIAZ D J
(Univ. Illinois, IL)
BOHN P W
(Univ. Illinois, IL)
ADESIDA I
(Univ. Illinois, IL)

資料名:
Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)

巻: 32  号:ページ: 855-860  発行年: 2003年08月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。