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文献
J-GLOBAL ID：200902269667466777
整理番号：03A0685370
GaNをベースにした発光ダイオードの漏れ電流におよぼすNi/Au Ohm接触の熱アニーリングの効果
Effect of thermal annealing of Ni/Au ohmic contact on the leakage current of GaN based light emitting diodes
HSU C-Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LAN W-H
(National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN)
,
WU Y S
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 12 ページ： 2447-2449 発行年： 2003年09月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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