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文献
J-GLOBAL ID：200902269767101156
整理番号：03A0519532
薄膜SiGe-on-Insulator技術を用いた高性能歪SOI CMOS素子
High-Performance Strained-SOI CMOS Devices Using Thin Film SiGe-on-Insulator Technology
MIZUNO T
(Assoc. Super-Advanced Electronics, Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Assoc. Super-Advanced Electronics, Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
TEZUKA T
(Assoc. Super-Advanced Electronics, Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
NUMATA T
(Assoc. Super-Advanced Electronics, Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Assoc. Super-Advanced Electronics, Technol. (ASET), Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50 号： 4 ページ： 988-994 発行年： 2003年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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