文献
J-GLOBAL ID:200902269773863726
整理番号:07A0739451
電力トランジスタに対するRESURFステップ酸化物技術の工業化
Industrialisation of Resurf Stepped Oxide Technology for Power Transistors
著者 (6件):
GAJDA M. A.
(Philips Semiconductors Hazel Grove, Stockport, GBR)
,
HODGSKISS S. W.
(Philips Semiconductors Hazel Grove, Stockport, GBR)
,
MOUNFIELD L. A
(Philips Semiconductors Hazel Grove, Stockport, GBR)
,
IRWIN N. T.
(Philips Semiconductors Hazel Grove, Stockport, GBR)
,
KOOPS G. E. J.
(Philips Res. Europe, Leuven, BEL)
,
VAN DALEN R.
(Philips Res. Europe, Leuven, BEL)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
18th
ページ:
109-112
発行年:
2006年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)