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文献
J-GLOBAL ID：200902269970029266
整理番号：06A0156799
不揮発性メモリ応用に対するSrTiOx薄膜の可逆抵抗スイッチング
Reversible resistive switching of SrTiOx thin films for nonvolatile memory applications
CHOI Dooho
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR)
,
LEE Dongsoo
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR)
,
SIM Hyunjun
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR)
,
CHANG Man
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR)
,
HWANG Hyunsang
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 8 ページ： 082904-082904-3 発行年： 2006年02月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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