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文献
J-GLOBAL ID：200902270048052770
整理番号：03A0636526
デカナノメータおよびナノメータ規模MOSFETにおける固有パラメータゆらぎのシミュレーション
Simulation of Intrinsic Parameter Fluctuations in Decananometer and Nanometer-Scale MOSFETs
ASENOV A
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
BROWN A R
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
DAVIES J H
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
KAYA S
(Ohio Univ., OH, USA)
,
SLAVCHEVA G
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50 号： 9 ページ： 1837-1852 発行年： 2003年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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