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文献
J-GLOBAL ID：200902270383952971
整理番号：06A0195695
Si/SiGeヘテロ構造における歪のRaman研究 Siバンド歪シフト係数の正確な測定
Raman investigation of strain in Si/SiGe heterostructures: Precise determination of the strain-shift coefficient of Si bands
NAKASHIMA S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN)
,
MITANI T.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN)
,
NINOMIYA M.
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN)
,
MATSUMOTO K.
(Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 5 ページ： 053512-053512-6 発行年： 2006年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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