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文献
J-GLOBAL ID：200902270436375580
整理番号：08A0251897
SiCの分解によって作製したトップゲートを備えたグラフェンから成る電界効果トランジスター
Top-gated graphene field-effect-transistors formed by decomposition of SiC
WU Y. Q.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
YE P. D.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
CAPANO M. A.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
XUAN Y.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
SUI Y.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
QI M.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
COOPER J. A.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
SHEN T.
(Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
PANDEY D.
(Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
PRAKASH G.
(Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
REIFENBERGER R.
(Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 9 ページ： 092102 発行年： 2008年03月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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