文献
J-GLOBAL ID:200902270508974328
整理番号:03A0698015
Si基板上の3C-SiC中の逆位相ドメインの消滅機構
Investigation of antiphase domain annihilation mechanism in 3C-SiC on Si substrates
著者 (4件):
ISHIDA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA S
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
7
ページ:
4676-4689
発行年:
2003年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)